芯片基础–模拟集成电路设计 知到智慧树答案2024 z15461

第一章 单元测试

1、
相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。

A:对
B:错
答案: 对

2、
MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。

A:对
B:错
答案: 对

3、
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。

A:对
B:错
答案: 对

4、
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷

A:对
B:错
答案: 对

5、
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果

A:对
B:错
答案: 对

6、
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。

A:对
B:错
答案: 错

第二章 单元测试

1、
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

A:对
B:错
答案: 错

2、
下列关于MOS版图说法不正确的是（）

A:栅接触孔为什么开在沟道区外
B:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
C:源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
D:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区
答案: 版图中栅极的接触孔可以开在沟道区

3、
下列说法正确的是（）

A:MOSFET是四端器件
B:MOS管正常工作的基本条件是: 所有衬源（B、S）、衬漏（B、D）PN结必须反偏（或者零偏）！
C:阱中MOSFET衬底常接源极S
D:N阱接最低电位
答案: N阱接最低电位

4、
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

A:NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C:当VGS>VTH时，NMOS器件导通
D:若VTH=0，则 NMOS器件关断
答案: 若VTH=0，则 NMOS器件关断

5、
下列说法正确的是（）

A:VGS<VTH时，NMOS器件工作在截止区
B:VGS ≥VTH，VDS≤ VGS – VTH时，NMOS器件工作在线性区
C:VGS ≥ VTH，VDS ≥ VGS – VTH时，NMOS器件工作在饱和区
D:VGS<=0时，NMOS器件不工作
答案: VGS<VTH时，NMOS器件工作在截止区;VGS ≥VTH，VDS≤ VGS – VTH时，NMOS器件工作在线性区;VGS ≥ VTH，VDS ≥ VGS – VTH时，NMOS器件工作在饱和区

6、
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

A:L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B:tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
答案: L是器件的沟道长度，W是器件的宽度;tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定;一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L

7、
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。

A:对
B:错
答案: 错

8、
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。

A:对
B:错
答案: 对

9、
下列关于体效应的说法，正确的是（）

A:改变衬底电势V_sub可能会产生体效应。
B:不改变衬底电势V_sub也可能会产生体效应。
C:源电压相对于V_sub发生改变，使得源衬电势差V_SB不为0，就会产生体效应。
D:体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
答案: 改变衬底电势V_sub可能会产生体效应。;不改变衬底电势V_sub也可能会产生体效应。;源电压相对于V_sub发生改变，使得源衬电势差V_SB不为0，就会产生体效应。;体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。

10、
下列关于沟道长度调制效应说法正确的是（）

A:器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。
B:器件的沟道调制效应系数由工艺决定。
C:器件的导电沟道越短，沟道调制效应系数越小。
D:沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。
答案: 器件的导电沟道越长，沟道调制效应系数越小。;器件的沟道调制效应系数由工艺决定。;沟道调制效应说明饱和区器件的电流会受到漏源电压的影响。

11、
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）

A:亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
B:MOS管亚阈值电流I_D一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计
C:MOS管V_GS由0增大到大于阈值电压V_TH，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当V_GS<V_TH时，仍有I_DS存在
D:当V_GS<V_TH时，漏极电流I_D以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
答案: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数;MOS管亚阈值电流I_D一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计;MOS管V_GS由0增大到大于阈值电压V_TH，经历截止—弱反型—强反型，这是一个渐进的过程，故当V_GS<V_TH时，仍有I_DS存在;当V_GS<V_TH时，漏极电流I_D以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失

12、
下列关于MOS模型的说法正确的有（）

A:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
B:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
C:MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
D:MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
答案: MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立;当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算;MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数;MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响

13、
判断制造下列电路的衬底类型

A:N型衬底
B:P型衬底
答案: N型衬底

14、
判断器件为NMOS器件还是PMOS器件？

A:NMOS
B:PMOS
C:什么都不是
答案: PMOS

第三章 单元测试

1、
下列关于放大的说法，正确的是（）

A:在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大是一个基本功能。
B:我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载，或者不能克服后继的噪声
C:放大不能为数字电路提供逻辑电平。
D:放大在反馈系统中起着重要作用。
答案: 在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大是一个基本功能。;我们放大一个模拟或数字信号是因为这个信号太小而不能驱动负载，或者不能克服后继的噪声;放大在反馈系统中起着重要作用。

2、
下列关于小信号的说法，正确的是（）

A:小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记
B:若小信号变化幅度过大，则会影响直流偏置点，需用大信号分析
C:假定某MOS器件的栅源过驱动电压VGS – VTH = 0.5V，则|vgs(t)|可视为小信号的变化范围为10mV
D:一般小信号是交流信号
答案: 小信号使电路偏置点受到的扰动可忽略不记;若小信号变化幅度过大，则会影响直流偏置点，需用大信号分析;一般小信号是交流信号

3、
以电阻RD为负载的共源级电路的小信号增益的表达式有（）

A:
B:
C:
D:
答案: ;;;

4、
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大其小信号增益的措施有（）

A:增大器件M1的宽长比W/L
B:减小器件M1的宽长比W/L
C:增大电阻RD上的电压V_RD
D:减小漏极电流I_D
答案: 增大器件M1的宽长比W/L;增大电阻RD上的电压V_RD;减小漏极电流I_D

5、
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大器件的宽长比W/L，可以增大电路的小信号增益A_V ，但MOS管寄生电容相应增加，电路的高频响应会变差，其3dB转折频率点会下降

A:对
B:错
答案: 对

6、
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大电阻上的电压V_RD， 可以增大电路的小信号增益A_V ，但V_DS 会下降，从而导致放大器静态工作点下移，输出电压的摆幅会减小

A:对
B:错
答案: 对

7、
对于以电阻RD为负载的共源级电路，减小I_D， 可以增大电路的小信号增益A_V

A:对
B:错
答案: 对

8、
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大电阻R_D，可以增大电路的小信号增益A_V，但会导致电路的版图面积增加，电阻噪声增大，放大器速度下降。

A:对
B:错
答案: 对

9、
图中的M₁被偏置在饱和区，则电路的小信号电压增益，说明使用电流源作负载可提高增益。

A:对
B:错
答案: 对

10、
下列说法正确的是（）

A:所谓二极管连接的MOS管实际上是将MOS器件的栅极和源极短接，起到小信号电阻的作用
B:MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区
C:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关，与偏置电流无关，即输入与输出呈线性
D:二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管过驱动电压之比，A_V越大，V_ov2越大，V_outmax越小
答案: MOS管二极管连接并导通时,不论是NMOS还是PMOS管, 均工作在饱和区;二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益只与W/L有关，与偏置电流无关，即输入与输出呈线性;二极管连接的PMOS管作负载的共源极电路的小信号增益是两管过驱动电压之比，A_V越大，V_ov2越大，V_outmax越小

11、
下列关于源极跟随器的说法正确的有（）

A:源极跟随器的A_V≤1
B:源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻、大电容负载
C:源极跟随器可用来构成电平位移电路
D:相对于共源级电路来说，源极跟随器增益很大，输出阻抗很高。
答案: 源极跟随器的A_V≤1;源极跟随器一般只用来驱动小电容(或高阻)负载，不宜用来驱动低阻、大电容负载;源极跟随器可用来构成电平位移电路

12、
下列关于共栅放大器的说法正确的有（）

A:输入阻抗与R_D有关，有阻抗变换特性
B:输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源
C:其增益与共源级放大电路增益相同
D:常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级
答案: 输入阻抗与R_D有关，有阻抗变换特性;输出阻抗高，可用于提高增益和构成高性能恒流源;常同CS联合构成CS—CG放大器，用于高速运放的差分输入放大级

13、
如图(a) (b) (c)三个电路，若电路中I_D相等，输出阻抗最大的是（）

A:(a)
B:(b)
C:(c)
D:三个电路都是
答案: (c)

14、
关于共源共栅电路下列说法正确的有（）

A:共源共栅结构具有高输出阻抗特性
B:共源共栅电流源可近似代替理想恒流源
C:共源共栅结构具有高输出摆幅
D:共源共栅结构具有屏蔽特性
答案: 共源共栅结构具有高输出阻抗特性;共源共栅电流源可近似代替理想恒流源;共源共栅结构具有屏蔽特性

15、
如图(a) (b) (c)三个电路，若电路中I_D相等，对增益讨论正确的是（）

A:(c)增益最大
B:(b)增益为（a）的两倍
C:(b)增益最大
D:(a)增益最小
答案: (c)增益最大;(b)增益为（a）的两倍;(a)增益最小

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