MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立;当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算;MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数;MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导，体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响