如果CaF晶体中，含有百万分之一的YF杂质，则在℃时，CaF晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF晶体中弗兰克尔缺陷形成能为.eV，肖特基缺陷的生成能为.eV）