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在硅沟道场效应晶体管器件中,埋入式源漏技术能够产生何种应变()A既有可能产生张应变,又有可能产生压应变B其余选项说法都不对C仅能产生压应变D仅能产生张应变
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现代半导体器件及先进制造 知到智慧树答案2024 z27095
第一章 单元测试 1、 本征硅的费米能级位于:( ) A: B:略偏向...
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